MOSFET Infineon IMZ120R090M1HXKSA1, VDSS 1.200 V, ID 26 A, TO-247-4 de 4 pines

El MOSFET Infineon CoolSiC de 1.200 V, 90 mΩ SiC en encapsulado TO247-4 se ha construido sobre un proceso semiconductor Trench de vanguardia optimizado para combinar rendimiento con fiabilidad. En comparación con los interruptores basados en silicio (Si) tradicionales como IGBT y MOSFET, el MOSFET de SiC ofrece una serie de ventajas.

Las mejores pérdidas de conducción y conmutación de su clase
Tensión de umbral alto de referencia, Vth > 4 V.
Tensión de puerta de desconexión 0V para accionamiento de puerta sencillo
Amplio rango de tensión de fuente de puerta
Diodo de cuerpo robusto y de baja pérdida con valor nominal para conmutación dura