MOSFET, N-Canal Infineon IPA60R160P7XKSA1, VDSS 1.2 kV, ID 20 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
222-4878
Nº ref. fabric.:
IPA60R160P7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1.2kV

Encapsulado

TO-220

Serie

IPA60R

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

160mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de superunión Infineon 600V CoolMOS™ P7 es el sucesor de la serie 600V CoolMOS™ P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación CoolMOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.

Resistencia ESD de ≥ 2kV (HBM clase 2)

Resistencia de puerta integrada RG

Diodo de cuerpo resistente

Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante

Hay disponibles piezas de grado estándar e industrial

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