MOSFET onsemi NTH4L015N065SC1, VDSS 650 V, ID 142 A, TO-247-4 de 4 pines
- Código RS:
- 229-6458P
- Nº ref. fabric.:
- NTH4L015N065SC1
- Fabricante:
- onsemi
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 09/09/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio Unidad (suministrado en un tubo)
32,82 €
(exc. IVA)
39,71 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad |
| 10 - 49 | 32,82 € |
| 50 - 99 | 31,96 € |
| 100 - 224 | 31,15 € |
| 225 + | 30,38 € |
- Código RS:
- 229-6458P
- Nº ref. fabric.:
- NTH4L015N065SC1
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El MOSFET de la serie SIC Power DE ON Semiconductor utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia DE CONEXIÓN y el tamaño de chip compacto garantizan baja capacitancia y carga de puerta.
Más alta eficacia
Frecuencia de funcionamiento más rápida
Mayor densidad de potencia
EMI reducidas
Tamaño reducido del sistema
Frecuencia de funcionamiento más rápida
Mayor densidad de potencia
EMI reducidas
Tamaño reducido del sistema
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 142 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-247-4 |
| Serie | SiC Power |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 4 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,012 Ω |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4.3V |
| Material del transistor | SiC |
| Número de Elementos por Chip | 1 |