MOSFET onsemi NTMT190N65S3H, VDSS 650 V, ID 16 A, TDFN4 de 8 pines
- Código RS:
- 229-6482P
- Nº ref. fabric.:
- NTMT190N65S3H
- Fabricante:
- onsemi
3000 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio Unidad (suministrado en un carrete) Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua
4,735 €
(exc. IVA)
5,729 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad |
| 10 - 98 | 4,735 € |
| 100 - 248 | 4,465 € |
| 250 - 498 | 3,865 € |
| 500 + | 3,675 € |
- Código RS:
- 229-6482P
- Nº ref. fabric.:
- NTMT190N65S3H
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
La serie SUPER FET DE ON Semiconductor es un MOSFET de súper unión de alta tensión completamente nuevo que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta tecnología Advanced se ha diseñado para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir una velocidad de dv/dt extrema.
Baja capacitancia eficaz de salida
100 % a prueba de avalancha
Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento
Sin plomo
En conformidad con RoHS
100 % a prueba de avalancha
Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento
Sin plomo
En conformidad con RoHS
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 16 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Tipo de Encapsulado | TDFN4 |
| Serie | SUPERFET III |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,19 Ω |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |