MOSFET Nexperia PSMNR55-40SSHJ, VDSS 40 V, ID 500 A, LFPAK88 de 4 pines

MOSFET de modo de mejora de canal N de Nexperia en encapsulado LFPAK88 con corriente continua de 500 A y accionamiento de puerta de nivel estándar. La familia Next Power S3 con la exclusiva tecnología "Schottky Plus" de Nexperia que proporciona alta eficiencia y bajo rendimiento de pico normalmente relacionado con MOSFET con un diodo Schottky o similar a Schottky integrado, pero sin corriente de fuga alta problemática. Next Power S3 está especialmente indicado para aplicaciones de alta eficiencia con frecuencias de conmutación altas y una conmutación segura y fiable con corriente de carga alta.

Conexión de pinza de cobre y matriz de soldadura para baja inductancia y resistencia del encapsulado, y alta calificación ID (máx.)
Sustitución ideal para D2PAK y tipos de encapsulado sin plomo de 10 x 12 mm
Homologado para 175 °C
Cumple los requisitos UL2595 para flujo y separación
Valor nominal de avalancha, 100 % probado
Baja QG, QGD y QOSS para alta eficiencia, especialmente a frecuencias de conmutación superiores
Conmutación muy rápida con recuperación de diodo de cuerpo suave para que se produzcan pocos picos y anillos, recomendado para diseños de baja EMI

Control de motor CC sin escobillas
Rectificador sincrónico en aplicaciones CA a CC de alta potencia, por ejemplo, fuentes de alimentación de servidor
Protección de batería y sistemas de gestión de batería (BMS)
eFuse e interruptor de carga
Gestión de corriente de irrupción/cambio en caliente