Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal STMicroelectronics MASTERGAN1LTR, VDSS 650 V, ID 9.7 A, Mejora, QFN-9 de 31 pines

Código RS:: 287-7040
Nº ref. fabric.:: MASTERGAN1LTR
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal STMicroelectronics MASTERGAN1LTR, VDSS 650 V, ID 9.7 A, Mejora, QFN-9 de 31 pines

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Código RS:: 287-7040
Nº ref. fabric.:: MASTERGAN1LTR
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	STMicroelectronics
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N, Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	9.7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Serie	MASTERG
	Encapsulado	QFN-9
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	31
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	220mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	2nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Disipación de potencia máxima Pd	40mW
	Temperatura de funcionamiento máxima	125°C
	Altura	1mm
	Longitud	9mm
	Certificaciones y estándares	RoHS, ECOPACK
	Estándar de automoción	No

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	Marca STMicroelectronics
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N, Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 9.7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Serie MASTERG
	Encapsulado QFN-9
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 31
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 220mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Disipación de potencia máxima Pd 40mW
	Temperatura de funcionamiento máxima 125°C
	Altura 1mm
	Longitud 9mm
	Certificaciones y estándares RoHS, ECOPACK
	Estándar de automoción No

Datasheet - MASTERGAN1LTR

COO (País de Origen):: TH

El microcontrolador de STMicroelectronics es un avanzado sistema de alimentación en paquete que integra un controlador de puerta y dos transistores GaN de modo de mejora en configuración de medio puente. Los GaN de potencia integrados tienen RDS(ON) de 150 mΩ, 650 V de tensión de bloqueo drenaje-fuente, mientras que el lado alto del controlador de puerta integrado puede ser alimentado fácilmente por el diodo bootstrap integrado.

Pérdida de recuperación inversa cero

Protección UVLO en VCC

Diodo de arranque interno

Función de enclavamiento

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