MOSFET Infineon IPB60R099P7ATMA1, VDSS 650 V, ID 31 A, TO 263 de 3 pines

Infineon Design de Cool MOS™ C7 es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie 600V Cool MOS™ C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con la innovación de alta calidad. El 600V C7 es la primera tecnología con RDS(on)*A por debajo de 1Ohm*mm².

Adecuado para conmutación dura y suave (PFC y LLC de alto rendimiento) mayor resistencia dv/dt MOSFET a 120V/ns
Mayor eficiencia gracias al mejor FOM RDS(on)*Eoss y RDS(on)*QG de su clase
El mejor RDS(on) /paquete de su clase