MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2505
- Nº ref. fabric.:
- IPB65R095C7ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 217-2505
- Nº ref. fabric.:
- IPB65R095C7ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 95mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 51nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 129W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.31mm | |
| Altura | 4.57mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 95mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 51nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 129W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.31mm | ||
Altura 4.57mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie CoolMOS™ C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con la innovación de alta calidad. La gama de productos proporciona todas las ventajas de un MOSFET de súper unión de conmutación que ofrece mejor eficiencia, carga de puerta reducida, fácil implementación y excelente fiabilidad.
Mayor resistencia de mosfet dv/dt
Mayor eficiencia gracias a los mejores FOMRDS(on)*Eoss y RDS(on)*QG de su clase
El mejor RDS(on)/encapsulado de su clase
Fácil de usar/conducir
Chapado sin plomo, compuesto moldeado sin halógenos
Calificación para aplicaciones de grado industrial conforme a JEDEC(J-STD20 andJESD22)
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