MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 6 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidad

Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*

3,79 €

(exc. IVA)

4,586 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 996 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
2 - 481,895 €3,79 €
50 - 981,58 €3,16 €
100 - 2481,255 €2,51 €
250 - 4981,165 €2,33 €
500 +1,05 €2,10 €

*precio indicativo

Código RS:
273-3000
Nº ref. fabric.:
IPB65R660CFDAATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.66Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de superunión CFDA MOS frío de 650 V de Infineon es la segunda generación de MOSFET de potencia MOS frío de alta tensión calificado de automoción líder en el mercado de Infineon. Además de los atributos bien conocidos de alta calidad y fiabilidad requeridos por el automático

Apariencia EMI reducida y fácil de diseñar

Mejor eficiencia de carga ligera

Pérdidas de conmutación más bajas

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.