MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 211 A, N, TO-263

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

3.178,00 €

(exc. IVA)

3.845,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Los pedidos inferiores a 80,00 € (exc. IVA) tienen un coste de 7,00 €.
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 03 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1000 +3,178 €3.178,00 €

*precio indicativo

Código RS:
258-3826
Nº ref. fabric.:
IPBE65R050CFD7AATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

211A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-263

Serie

iPB

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40.7mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

1.2V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La tecnología CoolMOS C3A de Infineon se ha diseñado para satisfacer las crecientes demandas de mayores tensiones del sistema en el área de vehículos eléctricos, como PHEV y BEV.

Mejor calidad y fiabilidad de su clase

Tensión de ruptura superior

Capacidad de corriente de pico alta

Enlaces relacionados