Mantenimiento de la web – Del viernes 21 al domingo 23 de junio

Debido a tareas de mantenimiento en nuestra web para mejorar la experiencia online, no será posible realizar pedidos entre las 21:00 horas del viernes 21 de junio y las 23:00 horas del domingo 23 de junio. Disculpa las molestias.

MOSFET Infineon IPBE65R050CFD7AATMA1, VDSS 650 V, ID 211 A, PG-TO263

Código RS:: 258-3827
Nº ref. fabric.:: IPBE65R050CFD7AATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPBE65R050CFD7AATMA1, VDSS 650 V, ID 211 A, PG-TO263

976 Disponible para entrega en 24/48 horas

Precio Unidad

10,80 €

(exc. IVA)

13,07 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 9	10,80 €
10 - 24	10,25 €
25 - 49	9,83 €
50 - 99	9,40 €
100 +	8,75 €

Código RS:: 258-3827
Nº ref. fabric.:: IPBE65R050CFD7AATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IPBE65R050CFD7AATMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

La tecnología CoolMOS C3A de Infineon se ha diseñado para satisfacer las crecientes demandas de mayores tensiones del sistema en el área de vehículos eléctricos, como PHEV y BEV.

Mejor calidad y fiabilidad de su clase
Tensión de ruptura superior
Capacidad de corriente de pico alta

Especificaciones

Atributo	Valor
Corriente Máxima Continua de Drenaje	211 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	PG-TO263
Tipo de Montaje	Montaje superficial