MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPBE65R050CFD7AATMA1, VDSS 650 V, ID 211 A, N, TO-263

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
258-3827
Nº ref. fabric.:
IPBE65R050CFD7AATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

211A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

iPB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40.7mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

1.2V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La tecnología CoolMOS C3A de Infineon se ha diseñado para satisfacer las crecientes demandas de mayores tensiones del sistema en el área de vehículos eléctricos, como PHEV y BEV.

Mejor calidad y fiabilidad de su clase

Tensión de ruptura superior

Capacidad de corriente de pico alta

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