MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 23.8 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 168-5906
- Nº ref. fabric.:
- IPB60R160P6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 168-5906
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- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 23.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 160mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 176W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 44nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.57 mm | |
| Altura | 9.45mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.31mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 23.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 160mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 176W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 44nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.57 mm | ||
Altura 9.45mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.31mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de potencia serie CoolMOS™E6/P6 de Infineon
La gama Infineon de MOSFET serie CoolMOS™E6 y P6. Estos dispositivos se puede utilizar en diversas aplicaciones, como la corrección del factor de potencia (PFC), dispositivos de iluminación y consumo, servidores y en los sectores solar y de telecomunicaciones.
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