MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 46 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
222-4896
Nº ref. fabric.:
IPB65R045C7ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

46A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

IPB65R

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

45mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS™ C7 superJunction MOSFET es un paso adelante revolucionario en tecnología, que proporciona el RDS(on)/encapsulado más bajo del mundo y, gracias a sus bajas pérdidas de conmutación, mejoras de eficiencia en el rango de carga completa.

Margen de seguridad mejorado y adecuado para aplicaciones SMPS e inversor solar

Pérdidas de conducción/encapsulado más bajas

Pérdidas de conmutación bajas

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Excelente calidad CoolMOS™

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