MOSFET Infineon IPB65R045C7ATMA2, VDSS 650 V, ID 46 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

Código RS:: 222-4896
Nº ref. fabric.:: IPB65R045C7ATMA2
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB65R045C7ATMA2, VDSS 650 V, ID 46 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

995 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)

6,925 €

(exc. IVA)

8,379 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
1000 +	6,925 €	6.925,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 222-4896
Nº ref. fabric.:: IPB65R045C7ATMA2
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IPB65R045C7ATMA2

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Infineon CoolMOS™ C7 superJunction MOSFET es un paso adelante revolucionario en tecnología, que proporciona el RDS(on)/encapsulado más bajo del mundo y, gracias a sus bajas pérdidas de conmutación, mejoras de eficiencia en el rango de carga completa.

Margen de seguridad mejorado y adecuado para aplicaciones SMPS e inversor solar
Pérdidas de conducción/encapsulado más bajas
Pérdidas de conmutación bajas
Mejor eficiencia de carga ligera
Aumento de la densidad de potencia
Excelente calidad CoolMOS™

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	46 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Serie	CoolMOS™ P7
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	45 m.Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si

MOSFET Infineon IPB65R045C7ATMA2, VDSS 650 V, ID 46 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

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