MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB65R660CFDAATMA1, VDSS 650 V, ID 6 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
273-2999
Nº ref. fabric.:
IPB65R660CFDAATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.66Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de superunión CFDA MOS frío de 650 V de Infineon es la segunda generación de MOSFET de potencia MOS frío de alta tensión calificado de automoción líder en el mercado de Infineon. Además de los atributos bien conocidos de alta calidad y fiabilidad requeridos por el automático

Apariencia EMI reducida y fácil de diseñar

Mejor eficiencia de carga ligera

Pérdidas de conmutación más bajas

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