MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 31 A, Mejora, TO-252

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Código RS:
258-3853
Nº ref. fabric.:
IPD60R280PFD7SAUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

31A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

IPD

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

210mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de superunión CoolMOS PFD7 de 600 V de Infineon complementa la oferta CoolMOS 7 para aplicaciones de consumo. El MOSFET de superunión CoolMOS PFD7 en un encapsulado TO 252 DPAK dispone de RDS(on) de 280 mOhm que conduce a bajas pérdidas de conmutación. Los productos se suministran con un diodo de cuerpo rápido integrado que garantiza un dispositivo robusto. El diodo de cuerpo rápido y el encapsulado SMD líder del sector reducen el espacio en PCB y, a su vez, la factura de material del cliente. Esta familia de productos está diseñada para una densidad de potencia muy alta, así como para diseños de máxima eficiencia. Los productos se refieren principalmente a cargadores de muy alta densidad, adaptadores y accionamientos de motor de baja potencia. El CoolMOS PFD7 de 600 V ofrece una eficiencia de carga completa y ligera mejorada sobre las tecnologías CoolMOS P7 y CE MOSFET, lo que da lugar a un aumento de la densidad de potencia de 1,8 W/pulg.3.

Excelente resistencia de conmutación

EMI baja

Amplia cartera de paquetes

Reducción de costes BOM y fabricación sencilla

Robustez y fiabilidad

Fácil de seleccionar las piezas adecuadas para ajustar el diseño

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