MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 10.6 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
911-4993
Nº ref. fabric.:
IPD60R380C6ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

CoolMOS C6

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

380mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

0.9V

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

32nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

6.22mm

Altura

2.41mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C6/C7


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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