MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
222-4672
Nº ref. fabric.:
IPD60R280P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

CoolMOS

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

280mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Tensión directa Vf

0.9V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

53W

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Altura

2.41mm

Anchura

6.22 mm

Estándar de automoción

No

El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Producto ecológico (compatible con RoHS)

Certificación AEC Q101 de reflujo Peak MSL1 hasta 260 °C.

OptiMOS™ - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción

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