MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 4.5 A, N, TO-252

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Código RS:
258-3855
Nº ref. fabric.:
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

IPD

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

210mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

1.2V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de superunión CoolMOS PFD7 de 600 V de Infineon complementa la oferta CoolMOS 7 para aplicaciones de consumo. El MOSFET de superunión CoolMOS PFD7 en un encapsulado TO 252 DPAK dispone de RDS(on) de 2.000 mOhm que conduce a bajas pérdidas de conmutación. Un diodo de cuerpo rápido implementado asegura un dispositivo robusto y, a su vez, reduce la factura de material para el cliente. Además, nuestra oferta de encapsulado SMD líder del sector contribuye a ahorrar espacio en PCB y simplifica la fabricación. Esta familia de productos está diseñada para una densidad de potencia muy alta, así como para diseños de máxima eficiencia. Los productos se refieren principalmente a cargadores de densidad ultraalta, adaptadores y accionamientos de motor de baja potencia.

Amplia gama de valores RDS(on)

Excelente resistencia de conmutación

EMI baja

Amplia cartera de paquetes

Reducción de costes BOM y fabricación sencilla

Robustez y fiabilidad

Fácil de seleccionar las piezas adecuadas para ajustar el diseño

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