MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD60R600PFD7SAUMA1, VDSS 650 V, ID 14 A, N, TO-252
- Código RS:
- 258-3860
- Nº ref. fabric.:
- IPD60R600PFD7SAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
4,11 €
(exc. IVA)
4,975 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2435 unidad(es) más para enviar a partir del 22 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,822 € | 4,11 € |
| 50 - 120 | 0,676 € | 3,38 € |
| 125 - 245 | 0,634 € | 3,17 € |
| 250 - 495 | 0,588 € | 2,94 € |
| 500 + | 0,54 € | 2,70 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-3860
- Nº ref. fabric.:
- IPD60R600PFD7SAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 210mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 210mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de superunión CoolMOS PFD7 de 600 V de Infineon complementa la oferta CoolMOS 7 para aplicaciones de consumo. El MOSFET de superunión CoolMOS PFD7 en un encapsulado TO 252 DPAK dispone de RDS(on) de 2.000 mOhm que conduce a bajas pérdidas de conmutación. Un diodo de cuerpo rápido implementado asegura un dispositivo robusto y, a su vez, reduce la factura de material para el cliente. Además, nuestra oferta de encapsulado SMD líder del sector contribuye a ahorrar espacio en PCB y simplifica la fabricación.
Amplia gama de valores RDS(on)
Excelente resistencia de conmutación
EMI baja
Amplia cartera de paquetes
Reducción de costes BOM y fabricación sencilla
Robustez y fiabilidad
Fácil de seleccionar las piezas adecuadas para ajustar el diseño