MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRFR5305TRPBF, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 827-4060
- Número de artículo Distrelec:
- 304-44-464
- Nº ref. fabric.:
- IRFR5305TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*
18,92 €
(exc. IVA)
22,90 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
- Disponible(s) 180 unidad(es) más para enviar a partir del 21 de septiembre de 2026
- Disponible(s) 2520 unidad(es) más para enviar a partir del 28 de septiembre de 2026
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,946 € | 18,92 € |
| 100 - 180 | 0,898 € | 17,96 € |
| 200 - 480 | 0,862 € | 17,24 € |
| 500 - 980 | 0,804 € | 16,08 € |
| 1000 + | 0,756 € | 15,12 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 827-4060
- Número de artículo Distrelec:
- 304-44-464
- Nº ref. fabric.:
- IRFR5305TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 31A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 65mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.39mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 31A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.22mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.39mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 31 A, disipación de potencia máxima de 110 W - IRFR5305TRPBF
Características y ventajas
Aplicaciones
¿Cuáles son las técnicas de soldadura recomendadas para la instalación?
¿Puede soportar entornos con altas temperaturas?
¿Qué importancia tiene un RDS(on) bajo?
¿Cómo puedo garantizar un comportamiento de conmutación correcto?
¿Es compatible con los diseños estándar de las placas de circuito impreso?
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, IPAK de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS -55 V Mejora, TO-252 de 3 pines
