MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRFR5305TRPBF, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 827-4060
- Número de artículo Distrelec:
- 304-44-464
- Nº ref. fabric.:
- IRFR5305TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 827-4060
- Número de artículo Distrelec:
- 304-44-464
- Nº ref. fabric.:
- IRFR5305TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 31A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 65mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.39mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 31A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.39mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 31 A, disipación de potencia máxima de 110 W - IRFR5305TRPBF
Este MOSFET ofrece un rendimiento avanzado para diversas aplicaciones electrónicas. Su baja resistencia a la conexión y su alta capacidad de manejo de corriente contribuyen a una gestión eficaz de la energía. Con un diseño robusto y unas características eléctricas fiables, este componente es adecuado para diversos entornos en sistemas electrónicos y de automatización.
Características y ventajas
• Consigue una baja resistencia a la conexión para mejorar la eficiencia
• Admite una corriente de drenaje continua máxima de 31 A
• Diseñado para facilitar su uso en aplicaciones de montaje en superficie
• Capaz de funcionar en una gama de temperaturas de -55°C a +175°C
• Facilita velocidades de cambio rápidas para mejorar el rendimiento
• Permite una disipación de potencia máxima de 110 W para diversas aplicaciones
Aplicaciones
• Utilizado en sistemas de gestión de la energía
• Adecuado para el control de motores
• Utilizadas en fuentes de alimentación conmutadas para dispositivos electrónicos
• Se utiliza en circuitos de automoción para mejorar la eficiencia
¿Cuáles son las técnicas de soldadura recomendadas para la instalación?
Utilice técnicas de soldadura en fase vapor, por infrarrojos o por ola para obtener resultados óptimos, garantizando una tensión térmica mínima en el componente.
¿Puede soportar entornos con altas temperaturas?
Sí, funciona eficazmente en un rango de temperaturas de -55 °C a +175 °C, lo que la hace adecuada para condiciones extremas.
¿Qué importancia tiene un RDS(on) bajo?
El bajo RDS(on) reduce las pérdidas de potencia, mejorando la eficiencia global y disminuyendo la generación de calor durante el funcionamiento.
¿Cómo puedo garantizar un comportamiento de conmutación correcto?
Implementar circuitos de accionamiento de puerta adecuados para lograr características precisas de encendido y apagado, siguiendo las tensiones de activación sugeridas.
¿Es compatible con los diseños estándar de las placas de circuito impreso?
Sí, está diseñado en embalaje DPAK, lo que permite una integración directa en los diseños típicos de placas de circuito impreso sin necesidad de modificaciones especiales.
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