MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS -55 V, ID -11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
262-6769
Nº ref. fabric.:
IRFR9024NTRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-55V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

175mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

38W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.7nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Valor nominal de avalancha total

Conmutación rápida

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