MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
222-4615
Nº ref. fabric.:
AUIRFR9024NTRL
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.18mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

38W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.39mm

Longitud

6.22mm

Anchura

6.73 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado. Estas características se combinan para convertir este diseño en un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.

Tecnología Advanced Process

Conmutación rápida de resistencia de conexión ultrabaja

Sin plomo, Conformidad RoHS

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