MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRFR9024NTRL, VDSS 55 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4616
- Nº ref. fabric.:
- AUIRFR9024NTRL
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
14,94 €
(exc. IVA)
18,08 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- 3140 Envío desde el 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,494 € | 14,94 € |
| 50 - 90 | 1,419 € | 14,19 € |
| 100 - 240 | 1,36 € | 13,60 € |
| 250 - 490 | 1,30 € | 13,00 € |
| 500 + | 1,21 € | 12,10 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4616
- Nº ref. fabric.:
- AUIRFR9024NTRL
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.18mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 38W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.39mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.73 mm | |
| Longitud | 6.22mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.18mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 38W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.39mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.73 mm | ||
Longitud 6.22mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetitiva mejorado. Estas características se combinan para convertir este diseño en un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.
Tecnología Advanced Process
Conmutación rápida de resistencia de conexión ultrabaja
Sin plomo, Conformidad RoHS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS -55 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS -55 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-252 de 3 pines