MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 28 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
913-4809
Nº ref. fabric.:
IRLR2705TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

28A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

65mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

6.22 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.39mm

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 28 A, disipación de potencia máxima de 68 W - IRLR2705TRPBF


Este MOSFET está diseñado para ofrecer un rendimiento excepcional en una amplia gama de aplicaciones electrónicas. Aprovechando los modernos avances de la tecnología MOSFET, desempeña un papel importante en aplicaciones de conmutación en las que la eficiencia y la fiabilidad son esenciales. Sus características distintivas lo convierten en una excelente opción para sistemas eléctricos y de automatización que requieren un manejo de corrientes elevadas y un funcionamiento robusto.

Características y ventajas


• La alta corriente de drenaje continua de 28 A mejora el rendimiento

• La tensión nominal máxima de 55 V aumenta la capacidad de conmutación

• La baja resistencia a la conexión de 65mΩ minimiza la pérdida de energía

• Funciona eficazmente a temperaturas de hasta +175°C

• Diseñado para montaje en superficie en un encapsulado DPAK TO-252 para mayor eficacia

• La configuración en modo de mejora única facilita el diseño de circuitos

Aplicaciones


• Adecuado para la gestión de la energía en la automatización industrial

• Ideal para la conmutación energéticamente eficiente en fuentes de alimentación

• Utilizados habitualmente en circuitos de control de motores

• Adecuado para su uso en convertidores CC-CC

¿Cuál es la potencia máxima disipada por este componente?


La potencia máxima disipada es de 68 W, lo que permite una gestión eficaz del calor durante el funcionamiento.

¿Cómo afecta el rango de temperatura de funcionamiento al uso?


El dispositivo funciona eficazmente entre -55 °C y +175 °C, por lo que es apto para diversas condiciones ambientales.

¿Existe algún método de instalación específico recomendado para este MOSFET?


El dispositivo está diseñado para montaje en superficie mediante técnicas como la soldadura para garantizar conexiones fiables.

¿Se puede utilizar este MOSFET en paralelo con otros?


Sí, puede utilizarse en configuraciones paralelas, pero es esencial una gestión térmica adecuada para evitar el sobrecalentamiento.

¿Qué tipo de accionamiento de compuerta se recomienda para un rendimiento óptimo?


Se recomienda un accionamiento de puerta de nivel lógico para una conmutación eficiente, garantizando que el dispositivo funcione dentro de sus niveles de umbral especificados.

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