MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 44 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
165-5832
Nº ref. fabric.:
IRFR1205TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

44A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

27mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

107W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

65nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

6.22 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Altura

2.39mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 44 A, disipación de potencia máxima de 107 W - IRFR1205TRPBF


Este MOSFET de canal N de alto rendimiento está diseñado para una gestión eficiente de la potencia en una gran variedad de aplicaciones. Presenta una corriente de drenaje continua máxima de 44 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V, lo que lo hace adecuado para profesionales de los sectores de la electrónica y la automatización. La configuración del modo de mejora aumenta la eficiencia de la conmutación, mejorando así el rendimiento del circuito.

Características y ventajas


• La baja resistencia de drenaje-fuente minimiza la pérdida de potencia

• Soporta una disipación de potencia de hasta 107 W

• Alta temperatura máxima de funcionamiento de 175°C para una amplia aplicabilidad

• Carga de puerta optimizada para mejorar la eficiencia de conmutación

• El diseño de montaje en superficie simplifica la integración en circuitos compactos

• La construcción sin plomo cumple las normas medioambientales actuales

Aplicaciones


• Se utiliza en convertidores de potencia para mejorar la eficiencia

• Se emplea en circuitos de control de motores para una funcionalidad precisa

• Ideal para reguladores de conmutación que gestionan la tensión

• Adecuado para sistemas de energías renovables

• Adecuado para aparatos electrónicos portátiles compactos

¿Cuál es el significado de la baja on-resistencia en este modelo?


La baja resistencia a la conexión reduce la generación de calor durante el funcionamiento, mejorando la eficiencia y la fiabilidad en aplicaciones de alta corriente.

¿Cómo beneficia la configuración del modo de mejora al diseño de circuitos?


El modo de mejora proporciona un mejor control sobre las características de conmutación, garantizando un funcionamiento suave y un rendimiento óptimo en diversas aplicaciones electrónicas.

¿Este componente puede funcionar a temperaturas extremas?


Sí, está clasificado para su uso en entornos de -55°C a +175°C, lo que lo hace apropiado para diversas aplicaciones industriales.

¿Cuáles son las implicaciones eléctricas de los límites de tensión puerta-fuente?


Los límites de tensión de la fuente de puerta garantizan un funcionamiento seguro y evitan daños, permitiendo flexibilidad de diseño sin sacrificar la fiabilidad.

¿Cómo puede conseguirse una disipación eficaz del calor cuando se utiliza este componente?


La incorporación de un disipador térmico o ventilación adecuados facilitará la disipación eficaz del calor, garantizando un rendimiento estable durante periodos de funcionamiento prolongados.

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