MOSFET Infineon IRFR1205TRPBF, VDSS 55 V, ID 44 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 827-4026
Nº ref. fabric.:: IRFR1205TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFR1205TRPBF, VDSS 55 V, ID 44 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 07/05/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Añadido

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)

0,956 €

(exc. IVA)

1,157 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
20 - 80	0,956 €	19,12 €
100 - 180	0,746 €	14,92 €
200 - 480	0,698 €	13,96 €
500 - 980	0,65 €	13,00 €
1000 +	0,602 €	12,04 €
*precio indicativo

Código RS:: 827-4026
Nº ref. fabric.:: IRFR1205TRPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	44 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	27 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	107 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	65 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	6.22mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	2.39mm

Código RS:: 827-4026
Nº ref. fabric.:: IRFR1205TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFR1205TRPBF, VDSS 55 V, ID 44 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon

Especificaciones

MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon

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