MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRFR9024NTRPBF, VDSS 55 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Código RS:: 827-4088
Nº ref. fabric.:: IRFR9024NTRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRFR9024NTRPBF, VDSS 55 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
20 - 80	0,802 €	16,04 €
100 - 180	0,626 €	12,52 €
200 - 480	0,586 €	11,72 €
500 - 980	0,545 €	10,90 €
1000 +	0,506 €	10,12 €

*precio indicativo

Código RS:: 827-4088
Nº ref. fabric.:: IRFR9024NTRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	11A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	55V
	Encapsulado	TO-252
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	175mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	38W
	Tensión directa Vf	-1.6V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	19nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	2.39mm
	Longitud	6.73mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	6.22 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 11A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V
	Encapsulado TO-252
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 175mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 38W
	Tensión directa Vf -1.6V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 2.39mm
	Longitud 6.73mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 6.22 mm
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 11 A, disipación de potencia máxima de 38 W - IRFR9024NTRPBF

Este MOSFET de canal P, que utiliza la tecnología HEXFET, ofrece un rendimiento eficiente en una amplia gama de aplicaciones electrónicas. Su robustez lo convierte en un componente esencial para los usuarios de los sectores de la automatización, la electrónica, la electricidad y la mecánica. El producto es experto en la gestión de cargas de alta corriente, al tiempo que garantiza un control eficaz en los circuitos de potencia.

Características y ventajas

• La corriente de drenaje continua máxima de 11 A facilita las aplicaciones de alto rendimiento

• Puede soportar una tensión de drenaje-fuente de hasta 55 V para aumentar la fiabilidad

• El bajo RDS(on) de 175 mΩ minimiza la pérdida de potencia durante el funcionamiento

• El diseño del modo de mejora optimiza la eficacia para diversos usos

• El encapsulado de montaje superficial DPAK TO-252 simplifica la integración y el montaje de las placas de circuito impreso

Aplicaciones

• Gestión eficaz de la energía en los circuitos de alimentación

• Adecuado para el control de motores que necesitan una corriente elevada

• Se utiliza en convertidores CC-CC para mejorar la eficiencia

• Ideal para la conmutación de cargas gracias a la rapidez de respuesta

• Se emplea en sistemas de automatización industrial para mayor fiabilidad

¿Cuál es la potencia máxima disipada por este componente?

Tiene una capacidad máxima de disipación de potencia de 38 W.

¿Cómo gestiona el producto las tensiones de puerta?

La puerta puede admitir tensiones de -20 V a +20 V, lo que permite flexibilidad de diseño.

¿Cuál es el rendimiento térmico del dispositivo?

Funciona con seguridad a una temperatura máxima de 150 °C, lo que garantiza su fiabilidad en diversos entornos.

¿Es fácil de montar en una placa de circuito impreso?

Sí, el encapsulado DPAK TO-252 permite el montaje directo en superficie en placas de circuitos impresos.

¿Cómo se comporta este MOSFET a distintas temperaturas?

Sigue siendo funcional en un amplio rango de temperaturas de -55 °C a +150 °C, lo que satisface diversas necesidades de aplicación.