MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
168-7942
Nº ref. fabric.:
IRFR9024NTRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

175mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

38W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.39mm

Longitud

6.73mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.22 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 11 A, disipación de potencia máxima de 38 W - IRFR9024NTRPBF


Este MOSFET de canal P, que utiliza la tecnología HEXFET, ofrece un rendimiento eficiente en una amplia gama de aplicaciones electrónicas. Su robustez lo convierte en un componente esencial para los usuarios de los sectores de la automatización, la electrónica, la electricidad y la mecánica. El producto es experto en la gestión de cargas de alta corriente, al tiempo que garantiza un control eficaz en los circuitos de potencia.

Características y ventajas


• La corriente de drenaje continua máxima de 11 A facilita las aplicaciones de alto rendimiento

• Puede soportar una tensión de drenaje-fuente de hasta 55 V para aumentar la fiabilidad

• El bajo RDS(on) de 175 mΩ minimiza la pérdida de potencia durante el funcionamiento

• El diseño del modo de mejora optimiza la eficacia para diversos usos

• El encapsulado de montaje superficial DPAK TO-252 simplifica la integración y el montaje de las placas de circuito impreso

Aplicaciones


• Gestión eficaz de la energía en los circuitos de alimentación

• Adecuado para el control de motores que necesitan una corriente elevada

• Se utiliza en convertidores CC-CC para mejorar la eficiencia

• Ideal para la conmutación de cargas gracias a la rapidez de respuesta

• Se emplea en sistemas de automatización industrial para mayor fiabilidad

¿Cuál es la potencia máxima disipada por este componente?


Tiene una capacidad máxima de disipación de potencia de 38 W.

¿Cómo gestiona el producto las tensiones de puerta?


La puerta puede admitir tensiones de -20 V a +20 V, lo que permite flexibilidad de diseño.

¿Cuál es el rendimiento térmico del dispositivo?


Funciona con seguridad a una temperatura máxima de 150 °C, lo que garantiza su fiabilidad en diversos entornos.

¿Es fácil de montar en una placa de circuito impreso?


Sí, el encapsulado DPAK TO-252 permite el montaje directo en superficie en placas de circuitos impresos.

¿Cómo se comporta este MOSFET a distintas temperaturas?


Sigue siendo funcional en un amplio rango de temperaturas de -55 °C a +150 °C, lo que satisface diversas necesidades de aplicación.

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