MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 168-7942
- Nº ref. fabric.:
- IRFR9024NTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 168-7942
- Nº ref. fabric.:
- IRFR9024NTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 175mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 38W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.39mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 175mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 38W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.39mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MX
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 11 A, disipación de potencia máxima de 38 W - IRFR9024NTRPBF
Este MOSFET de canal P, que utiliza la tecnología HEXFET, ofrece un rendimiento eficiente en una amplia gama de aplicaciones electrónicas. Su robustez lo convierte en un componente esencial para los usuarios de los sectores de la automatización, la electrónica, la electricidad y la mecánica. El producto es experto en la gestión de cargas de alta corriente, al tiempo que garantiza un control eficaz en los circuitos de potencia.
Características y ventajas
• La corriente de drenaje continua máxima de 11 A facilita las aplicaciones de alto rendimiento
• Puede soportar una tensión de drenaje-fuente de hasta 55 V para aumentar la fiabilidad
• El bajo RDS(on) de 175 mΩ minimiza la pérdida de potencia durante el funcionamiento
• El diseño del modo de mejora optimiza la eficacia para diversos usos
• El encapsulado de montaje superficial DPAK TO-252 simplifica la integración y el montaje de las placas de circuito impreso
Aplicaciones
• Gestión eficaz de la energía en los circuitos de alimentación
• Adecuado para el control de motores que necesitan una corriente elevada
• Se utiliza en convertidores CC-CC para mejorar la eficiencia
• Ideal para la conmutación de cargas gracias a la rapidez de respuesta
• Se emplea en sistemas de automatización industrial para mayor fiabilidad
¿Cuál es la potencia máxima disipada por este componente?
Tiene una capacidad máxima de disipación de potencia de 38 W.
¿Cómo gestiona el producto las tensiones de puerta?
La puerta puede admitir tensiones de -20 V a +20 V, lo que permite flexibilidad de diseño.
¿Cuál es el rendimiento térmico del dispositivo?
Funciona con seguridad a una temperatura máxima de 150 °C, lo que garantiza su fiabilidad en diversos entornos.
¿Es fácil de montar en una placa de circuito impreso?
Sí, el encapsulado DPAK TO-252 permite el montaje directo en superficie en placas de circuitos impresos.
¿Cómo se comporta este MOSFET a distintas temperaturas?
Sigue siendo funcional en un amplio rango de temperaturas de -55 °C a +150 °C, lo que satisface diversas necesidades de aplicación.
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