MOSFET Infineon IRFR5305TRLPBF, VDSS 55 V, ID 31 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 171-1909
- Nº ref. fabric.:
- IRFR5305TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
2000 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)
0,984 €
(exc. IVA)
1,191 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 20 - 80 | 0,984 € | 19,68 € |
| 100 - 180 | 0,768 € | 15,36 € |
| 200 - 480 | 0,718 € | 14,36 € |
| 500 - 980 | 0,669 € | 13,38 € |
| 1000 + | 0,62 € | 12,40 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 171-1909
- Nº ref. fabric.:
- IRFR5305TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Legislación y Conformidad
Estado RoHS: No cumple
Datos del Producto
MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
El Infineon IRFR5305 es el MOSFET de potencia HEXFET de canal P sencillo de 55V V en un encapsulado D-Pak. El D-Pak está diseñado para montaje en superficie usando técnicas de fase de vapor, infrarrojos o soldadura por ola.
Tecnología de procesos Advanced
Conmutación rápida
Valor nominal de avalancha total
Sin cables
Conmutación rápida
Valor nominal de avalancha total
Sin cables
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 31 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 55 V |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) |
| Serie | IRFR5305PBF |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 65 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 110 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | 20 V |
| Ancho | 7.49mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 63 nC a 10 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Longitud | 6.73mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 2.39mm |
| Tensión de diodo directa | 1.3V |
| Ganancia de Potencia Típica | 0 |
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