MOSFET Infineon IRFR5305TRLPBF, VDSS 55 V, ID 31 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

El Infineon IRFR5305 es el MOSFET de potencia HEXFET de canal P sencillo de 55V V en un encapsulado D-Pak. El D-Pak está diseñado para montaje en superficie usando técnicas de fase de vapor, infrarrojos o soldadura por ola.

Tecnología de procesos Advanced
Conmutación rápida
Valor nominal de avalancha total
Sin cables

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.