MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
170-2262
Nº ref. fabric.:
IRFR5305TRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

31A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

IRFR5305PBF

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

65mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

63nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Tensión directa Vf

-1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

7.49 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Altura

2.39mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No cumple

El Infineon IRFR5305 es el MOSFET de potencia HEXFET de canal P sencillo de 55V V en un encapsulado D-Pak. El D-Pak está diseñado para montaje en superficie usando técnicas de fase de vapor, infrarrojos o soldadura por ola.

Tecnología de procesos Advanced

Conmutación rápida

Valor nominal de avalancha total

Sin cables

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