MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 223-8456
- Nº ref. fabric.:
- AUIRFR5305TRL
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
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- Código RS:
- 223-8456
- Nº ref. fabric.:
- AUIRFR5305TRL
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 31A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 65mΩ | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 31A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia HEXFET de canal P sencillo con homologación para automoción Infineon en un encapsulado D2-pak. El diseño celular de los MOSFET de potencia utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr baja resistencia de conexión por área de silicio. Se utiliza en automoción y en una amplia variedad de aplicaciones gracias a la velocidad de conmutación rápida y al dispositivo resistente.
Tecnología plana Advanced
Valor nominal DV/DT dinámico
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida
Sin cables
En conformidad con RoHS