MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 18 A, TO-252
- Código RS:
- 217-2626
- Nº ref. fabric.:
- IRFR5505TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 217-2626
- Nº ref. fabric.:
- IRFR5505TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 110mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 32nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 57W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | Lead-Free | |
| Altura | 6.22mm | |
| Anchura | 2.39 mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 110mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 57W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares Lead-Free | ||
Altura 6.22mm | ||
Anchura 2.39 mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon -55V MOSFET de potencia HEXFET de canal P sencillo en un encapsulado D-Pak.
Compatible con RoHS
Baja RDS(on)
Calidad líder del sector
Valor nominal de dv/dt dinámico
Conmutación rápida
Avalancha total nominal
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
MOSFET de canal P