MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 18 A, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
217-2626
Nº ref. fabric.:
IRFR5505TRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

55 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

18 A

Encapsulado

TO-252

Número de pines

3

Estándar de automoción

No

Altura

6.22 mm

Longitud

6.73 mm

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

110 mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

57 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tipo de montaje

Superficie

Serie

HEXFET

Certificaciones y estándares

Lead-Free

Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs

32 nC

Anchura

2.39 mm

The Infineon -55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package.

RoHS Compliant

Low RDS(on)

Industry-leading quality

Dynamic dv/dt Rating

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

175°C Operating Temperature

P-Channel MOSFET

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