MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 20 A, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4473
- Nº ref. fabric.:
- IRLR9343TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 0,283 € | 566,00 € |
| 4000 + | 0,276 € | 552,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-4473
- Nº ref. fabric.:
- IRLR9343TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 170mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 79W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 47nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 170mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 79W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 47nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Este HEXFET de audio digital Infineon está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificador de audio de clase D. Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio.
Tiene capacidad de avalancha repetitiva para solidez y fiabilidad