MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRLR9343TRPBF, VDSS 55 V, ID 20 A, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4474
- Nº ref. fabric.:
- IRLR9343TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,885 € | 17,70 € |
| 100 - 180 | 0,84 € | 16,80 € |
| 200 - 480 | 0,822 € | 16,44 € |
| 500 - 980 | 0,769 € | 15,38 € |
| 1000 + | 0,717 € | 14,34 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-4474
- Nº ref. fabric.:
- IRLR9343TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 170mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 47nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 79W | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 170mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 47nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 79W | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Este HEXFET de audio digital Infineon está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificador de audio de clase D. Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio.
Tiene capacidad de avalancha repetitiva para solidez y fiabilidad