MOSFET, N-Canal Infineon IRFR3410TRLPBF, VDSS 100 V, ID 31 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
218-3106
Número de artículo Distrelec:
304-39-421
Nº ref. fabric.:
IRFR3410TRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

31A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

31Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.73mm

Anchura

2.39mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

6.22mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon de potencia de canal N sencillo serie HEXFET integrado con encapsulado tipo DPAK (TO-252). Este MOSFET se utiliza principalmente en convertidores dc-dc de alta frecuencia.

Compatible con RoHS

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Conmutación rápida

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