MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR3410TRLPBF, VDSS 100 V, ID 31 A, Mejora, TO-252
- Código RS:
- 218-3106
- Número de artículo Distrelec:
- 304-39-421
- Nº ref. fabric.:
- IRFR3410TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- 218-3106
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- 304-39-421
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- IRFR3410TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 31A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 31Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 56nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 6.22mm | |
| Anchura | 2.39 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 31A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 31Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 6.22mm | ||
Anchura 2.39 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon de potencia de canal N sencillo serie HEXFET integrado con encapsulado tipo DPAK (TO-252). Este MOSFET se utiliza principalmente en convertidores dc-dc de alta frecuencia.
Compatible con RoHS
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida