MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 31 A, Mejora, TO-252

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Código RS:
218-3105
Nº ref. fabric.:
IRFR3410TRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

31A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

31Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

6.22mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

2.39 mm

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon de potencia de canal N sencillo serie HEXFET integrado con encapsulado tipo DPAK (TO-252). Este MOSFET se utiliza principalmente en convertidores dc-dc de alta frecuencia.

Compatible con RoHS

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Conmutación rápida

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