Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR3410TRPBF, VDSS 100 V, ID 31 A, TO-252

Código RS:: 257-9404
Nº ref. fabric.:: IRFR3410TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR3410TRPBF, VDSS 100 V, ID 31 A, TO-252

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
5 - 45	0,524 €	2,62 €
50 - 120	0,47 €	2,35 €
125 - 245	0,44 €	2,20 €
250 - 495	0,408 €	2,04 €
500 +	0,376 €	1,88 €

*precio indicativo

Código RS:: 257-9404
Nº ref. fabric.:: IRFR3410TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	31A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	TO-252
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	39mΩ
	Disipación de potencia máxima Pd	110W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	37nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	No
	Distrelec Product Id	304-40-538

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 31A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado TO-252
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Superficie
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 39mΩ
	Disipación de potencia máxima Pd 110W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 37nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.3V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción No
	Distrelec Product Id 304-40-538

Datasheet - IRFR3410TRPBF

La serie IRFR de Infineon es un mosfet de infrarrojos de canal n simple de 100 V en un encapsulado D Pak. La familia IR mosfet de mosfets de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia gama de dispositivos para admitir diversas aplicaciones como motores dc, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga, así como aplicaciones alimentadas por batería. Los dispositivos están disponibles en una variedad de encapsulados de montaje en superficie y de orificio pasante con huellas estándar del sector para facilitar el diseño.

Estructura de celda planar para SOA amplio

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz

Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR3410TRPBF, VDSS 100 V, ID 31 A, TO-252

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