MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB60R099P7ATMA1, VDSS 650 V, ID 31 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4654
- Nº ref. fabric.:
- IPB60R099P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
19,84 €
(exc. IVA)
24,005 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 3820 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 3,968 € | 19,84 € |
| 10 - 20 | 3,768 € | 18,84 € |
| 25 - 45 | 3,452 € | 17,26 € |
| 50 - 120 | 2,974 € | 14,87 € |
| 125 + | 2,58 € | 12,90 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4654
- Nº ref. fabric.:
- IPB60R099P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 31A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 99mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 31A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 99mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon Design de Cool MOS™ C7 es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie 600V Cool MOS™ C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con la innovación de alta calidad. El 600V C7 es la primera tecnología con RDS(on)*A por debajo de 1Ohm*mm².
Adecuado para conmutación dura y suave (PFC y LLC de alto rendimiento) mayor resistencia dv/dt MOSFET a 120V/ns
Mayor eficiencia gracias al mejor FOM RDS(on)*Eoss y RDS(on)*QG de su clase
El mejor RDS(on) /paquete de su clase
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET Infineon IPB60R099CPATMA1 ID 31 A config. Simple
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-252
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-252
- MOSFET y Diodo VDSS 650 V Mejora, TO-263
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 650 V Mejora, TO-263
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-263 de 3 pines