MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 31.2 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
222-4657
Nº ref. fabric.:
IPB65R190C7ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

31.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

CoolMOS

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

110mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Infineon Design de Cool MOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie 600V Cool MOS™ C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con la innovación de alta calidad. El 600V C7 es la primera tecnología con RDS(on)*A por debajo de 1Ohm*mm².

Certificación AEC Q101

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