MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal STMicroelectronics MASTERGAN1LTR, VDSS 650 V, ID 9.7 A, Mejora, QFN-9 de 31 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
287-7041
Nº ref. fabric.:
MASTERGAN1LTR
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N, Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

QFN-9

Serie

MASTERG

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

31

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

220mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

40mW

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Anchura

9 mm

Certificaciones y estándares

RoHS, ECOPACK

Altura

1mm

Longitud

9mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
TH
El microcontrolador de STMicroelectronics es un avanzado sistema de alimentación en paquete que integra un controlador de puerta y dos transistores GaN de modo de mejora en configuración de medio puente. Los GaN de potencia integrados tienen RDS(ON) de 150 mΩ, 650 V de tensión de bloqueo drenaje-fuente, mientras que el lado alto del controlador de puerta integrado puede ser alimentado fácilmente por el diodo bootstrap integrado.

Pérdida de recuperación inversa cero

Protección UVLO en VCC

Diodo de arranque interno

Función de enclavamiento

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