MOSFET, Tipo N, Tipo P-Canal STMicroelectronics MASTERGAN1LTR, VDSS 650 V, ID 9.7 A, Mejora, QFN-9 de 31 pines
- Código RS:
- 287-7041
- Nº ref. fabric.:
- MASTERGAN1LTR
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
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- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | QFN-9 | |
| Serie | MASTERG | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 31 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 220mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 40mW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Longitud | 9mm | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, ECOPACK | |
| Anchura | 9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado QFN-9 | ||
Serie MASTERG | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 31 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 220mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 40mW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Longitud 9mm | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, ECOPACK | ||
Anchura 9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- TH
El microcontrolador de STMicroelectronics es un avanzado sistema de alimentación en paquete que integra un controlador de puerta y dos transistores GaN de modo de mejora en configuración de medio puente. Los GaN de potencia integrados tienen RDS(ON) de 150 mΩ, 650 V de tensión de bloqueo drenaje-fuente, mientras que el lado alto del controlador de puerta integrado puede ser alimentado fácilmente por el diodo bootstrap integrado.
Pérdida de recuperación inversa cero
Protección UVLO en VCC
Diodo de arranque interno
Función de enclavamiento
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