MOSFET onsemi FDC6321C, VDSS 25 V, ID 460 mA, 680 mA, SOT-23 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 354-4985P
Nº ref. fabric.:: FDC6321C
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDC6321C, VDSS 25 V, ID 460 mA, 680 mA, SOT-23 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

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Código RS:: 354-4985P
Nº ref. fabric.:: FDC6321C
Fabricante:: onsemi

FDC6321C, Dual N and P Channel, Digital FET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	460 mA, 680 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	25 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1,1 Ω, 450 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.65V
Disipación de Potencia Máxima	900 mW
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	1,1 nC a 4,5 V, 1,64 nC a 4,5 V
Longitud	3mm
Número de Elementos por Chip	2
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	1.7mm
Altura	1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET onsemi FDC6321C, VDSS 25 V, ID 460 mA, 680 mA, SOT-23 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

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FET digitales, Fairchild Semiconductor