MOSFET Infineon IRLZ44NPBF, VDSS 55 V, ID 47 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Este MOSFET de canal N de alto rendimiento de Infineon está diseñado para una conmutación eficiente y un manejo de potencia sustancial en sistemas electrónicos. Gracias a su avanzada tecnología HEXFET, es apto para diversas aplicaciones de semiconductores, por lo que resulta idóneo para profesionales de la automatización, la electrónica y la ingeniería eléctrica que busquen un rendimiento sólido en la gestión de potencia.

• Admite una corriente de drenaje continua de hasta 47 A para un suministro de energía eficaz
• Funciona con una tensión de drenaje-fuente de 55 V, lo que aumenta la versatilidad de las aplicaciones
• La disipación de potencia máxima de 110 W optimiza la gestión térmica
• El diseño del modo de mejora garantiza una conmutación y un control eficaces
• El umbral de tensión de puerta bajo, de 1 V a 2 V, facilita el control con una tensión de accionamiento mínima
• El manejo de alta corriente con una baja resistencia de encendido de 22mΩ mejora la eficiencia

• Circuitos de alimentación que requieren una conmutación eficiente de la carga
• Convertidores CC-CC en sistemas de energías renovables
• Automoción alto rendimiento exigente
• Sistemas de control de motores para mejorar la eficacia operativa
• Sistemas de iluminación que requieren una regulación precisa de la potencia

El dispositivo funciona eficazmente en un rango de temperaturas de -55 °C a +175 °C, lo que garantiza su fiabilidad en diversas condiciones ambientales.

Está diseñado para montaje pasante en un encapsulado TO-220AB, lo que permite una disipación eficaz del calor durante el funcionamiento.

Sí, es compatible con una amplia gama de componentes de conmutación y gestión de potencia, por lo que se adapta perfectamente a diversos diseños de circuitos.

Una tensión de umbral de puerta de 1V a 2V permite una conducción sencilla con niveles de señal estándar, lo que simplifica el diseño de circuitos y mejora la compatibilidad.

Con una baja carga de puerta de 48nC a 5V, soporta aplicaciones de conmutación de alta frecuencia, contribuyendo a la eficiencia global en sistemas de potencia.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.