MOSFET onsemi FDS8984, VDSS 30 V, ID 7 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 671-0753P
Nº ref. fabric.:: FDS8984
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDS8984, VDSS 30 V, ID 7 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

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Unidades	Por unidad
50 - 95	0,56 €
100 - 495	0,484 €
500 - 995	0,426 €
1000 +	0,388 €

**precio indicativo

Código RS:: 671-0753P
Nº ref. fabric.:: FDS8984
Fabricante:: onsemi

Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	23 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	1600 mW
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	9,2 nC a 10 V
Ancho	4mm
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	2
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	5mm
Altura	1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET onsemi FDS8984, VDSS 30 V, ID 7 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

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MOSFET de canal N doble para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor