MOSFET onsemi FDG6322C, VDSS 25 V, ID 220 mA, 410 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 739-0183P
Nº ref. fabric.:: FDG6322C
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDG6322C, VDSS 25 V, ID 220 mA, 410 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

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Unidades	Por unidad
50 - 95	0,31 €
100 - 495	0,272 €
500 - 995	0,236 €
1000 +	0,216 €

Código RS:: 739-0183P
Nº ref. fabric.:: FDG6322C
Fabricante:: onsemi

MOSFET N/P Channel 25V 6 Pin SC70
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	220 mA, 410 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	25 V
Tipo de Encapsulado	SOT-363
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1,9 Ω, 7 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.65V
Disipación de Potencia Máxima	300 mW
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	1.25mm
Longitud	2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	0,29 nC a 4,5 V, 1,1 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip	2
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1mm

MOSFET onsemi FDG6322C, VDSS 25 V, ID 220 mA, 410 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

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MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor