MOSFET Infineon SPB11N60C3ATMA1, VDSS 650 V, ID 11 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 752-8473
Nº ref. fabric.:: SPB11N60C3ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon SPB11N60C3ATMA1, VDSS 650 V, ID 11 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

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Código RS:: 752-8473
Nº ref. fabric.:: SPB11N60C3ATMA1
Fabricante:: Infineon

SPB11N60C3, CoolMOS Power Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Serie	CoolMOS C3
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	380 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.1V
Disipación de Potencia Máxima	125 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	45 nC a 10 V
Ancho	9.45mm
Longitud	10.31mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.57mm

MOSFET Infineon SPB11N60C3ATMA1, VDSS 650 V, ID 11 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

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MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3