MOSFET Infineon BSS127H6327XTSA2, VDSS 600 V, ID 21 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 753-2832P
Nº ref. fabric.:: BSS127H6327XTSA2
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSS127H6327XTSA2, VDSS 600 V, ID 21 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 18/12/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad (suministrado en un carrete) Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

0,17 €

(exc. IVA)

0,21 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
250 - 600	0,17 €
625 - 1225	0,157 €
1250 - 2475	0,148 €
2500 +	0,111 €

Código RS:: 753-2832P
Nº ref. fabric.:: BSS127H6327XTSA2
Fabricante:: Infineon

BSS127, SIPMOS Small-Signal-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	21 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Serie	SIPMOS®
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	600 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.6V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.4V
Disipación de Potencia Máxima	500 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Ancho	1.3mm
Longitud	2.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	0,65 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1mm

MOSFET Infineon BSS127H6327XTSA2, VDSS 600 V, ID 21 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon