MOSFET Infineon IPB60R099CPATMA1, VDSS 650 V, ID 31 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Código RS:: 753-2999P
Nº ref. fabric.:: IPB60R099CPATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB60R099CPATMA1, VDSS 650 V, ID 31 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Precio Unidad (suministrado en un carrete) Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

3,26 €

(exc. IVA)

3,94 €

(inc.IVA)

999999 Entrega en 24 horas*

999999 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

* Las fechas de entrega pueden variar en función de la cantidad elegida y la dirección de entrega.

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Unidades	Por unidad
1 +	3,26 €

Código RS:: 753-2999P
Nº ref. fabric.:: IPB60R099CPATMA1
Fabricante:: Infineon

IPB60R099CP, CoolMOS Power Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	31 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Serie	CoolMOS CP
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	99 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.5V
Disipación de Potencia Máxima	255 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	9.45mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	60 nC a 10 V
Longitud	10.31mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Altura	4.57mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IPB60R099CPATMA1, VDSS 650 V, ID 31 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config. Simple

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™CP