MOSFET Infineon BSC080N03MSGATMA1, VDSS 30 V, ID 53 A, TDSON de 8 pines, config. Simple

Código RS:: 754-5288P
Nº ref. fabric.:: BSC080N03MSGATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSC080N03MSGATMA1, VDSS 30 V, ID 53 A, TDSON de 8 pines, config. Simple

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Código RS:: 754-5288P
Nº ref. fabric.:: BSC080N03MSGATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET N-ch 30V 53A OptiMOS3 5V TDSON8
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	53 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	TDSON
Serie	OptiMOS 3
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	10,2 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	35 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	21 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Longitud	5.35mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.1mm

MOSFET Infineon BSC080N03MSGATMA1, VDSS 30 V, ID 53 A, TDSON de 8 pines, config. Simple

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MOSFET de potencia OptiMOS™3 de Infineon, hasta 40 V