MOSFET Infineon IPB200N15N3GATMA1, VDSS 150 V, ID 50 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 754-5443P
Nº ref. fabric.:: IPB200N15N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB200N15N3GATMA1, VDSS 150 V, ID 50 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

21268 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad (suministrado en un carrete) Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

1,11 €

(exc. IVA)

1,34 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
2 +	1,11 €

Código RS:: 754-5443P
Nº ref. fabric.:: IPB200N15N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET N-ch 150V 50A OptiMOS3 TO263
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	150 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	20 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	150 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Ancho	9.45mm
Longitud	10.31mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	23 nC a 10 V
Altura	4.57mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IPB200N15N3GATMA1, VDSS 150 V, ID 50 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior