MOSFET onsemi FDP120N10, VDSS 100 V, ID 74 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

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Código RS:
759-9673
Nº ref. fabric.:
FDP120N10
Fabricante:
ON Semiconductor
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Marca

ON Semiconductor

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

74 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Serie

PowerTrench

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

12 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

170 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

66 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.67mm

Ancho

4.83mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

16.51mm

COO (País de Origen):
US

MOSFET de canal N PowerTrench®, superior a 60 A, Fairchild Semiconductor



Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.